Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. К. И. Таперо и др.

• Тип: Текст PDF
• Авторы: Константин Иванович Таперо, Виктор Николаевич Улимов, Александр Михайлович Членов
• Издательство: Лаборатория знаний(2015)
• Год написания: 2017
• ISBN: 978-5-00101-445-4, 978-5-457-53471-1
• Страниц: 307
• Язык: Русский

• Жанры: Электроника, Физика, Монографии
• Теги: Наноэлектроника, Микроэлектроника, Полупроводники, Радиация

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.