МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники. Р. Х. Акчурин и др.
- Тип: Текст PDF
- Авторы:
- Издательство: Техносфера(2019)
- Серия: Мир материалов и технологий (Техносфера)
- Год написания: 2018
- ISBN: 978-5-94836-521-3, 978-5-04-195798-8
- Страниц: 489
- Язык: Русский
- Жанры: Монографии, Материаловедение
- Теги:
- Описание
- Фрагмент
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ , затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
