Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design. Vinod Khanna Kumar
- Тип: Текст PDF
- Автор:
- Издательство: John Wiley & Sons Limited(2019)
- ISBN: 9780471660996, 978-5-04-469919-9
- Страниц: 648
- Язык: Английский
24210.60 руб.
Отложить
- Жанры: Техническая литература, Электроника
- Описание
- Фрагмент
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
